在这样的情况下,OP262GS一种革命性的抛光技术脱颖而出,固定研磨粒抛光△艺(dAbrasive S1′ICMP,FA STICMI)),成功地将凹陷降低至(100A(约100um宽的沟槽)。然任何东四总有它的两面性,美中不是的是同定研磨粒抛光的划痕类缺陷较多另外,新材料的使用总是推动(lMP前进的极大动力之。在15nm及以下的逻辑技术.为了填充越来越小的沟槽,一种低压CⅥDl∶艺形成的氧化硅HARP(higl`aspect ratioplasma)代替了原先的HIDP(high density plasma)。相比于HI)I),HARP薄膜具有更高的覆盖层(owrburden),这无疑增加了s'I′ICMP的难度,见图11,2。结合Ceria Based Slurry

和FA⒏ΓI CMP的优点,叮以有效地解决此问题,见图11.3。也就是,利用Ceria BasedSlurry高平坦效率的优点,进行第-步的粗抛光.磨掉HARP较高的覆盖层,然后,利用⒏ΓI CMP低凹陷的优点.进行第二步的细抛光。但是用此方法划痕类缺陷是-个重要的问题。根据设计的综合要求和成本的考虑,也可以选择silica Based slurry+FΛ sTI CMP或者纯粹Ceria Based slurry或者slica―t)cria Based Slurry来作为HARI冫S'I′lCMP的解决方法。后两者仍为主流方法。