晶片湿法刻蚀技术
发布时间:2017/11/6 21:30:19 访问次数:617
湿法刻蚀是一种去除膜层厚度的古老技术,被广泛应用于很多行业,由于近代半导体制造业的蓬勃发展, S912XEP100J4CAG这种原本宏观刻蚀技术被推广到IC制造业,逐渐发展成为独特的微观刻蚀技术,也就是说,现在晶片湿法刻蚀最大去除膜层厚度达几个微米,最小可控制到10A以下。它的特点是等向性刻蚀,即化学反应没有方向性,而且不同膜层和不同化学品有不同反应速率,同一种化学品不同的膜层选择的差异性也很大。因此湿法刻蚀,随着器件的进一步缩减,在精确控制和选择性方面将显现它的优势(如45nm逻辑技术节点以下,使用高介电 常数和金属栅极材料的湿法刻蚀)。
湿法刻蚀是一种去除膜层厚度的古老技术,被广泛应用于很多行业,由于近代半导体制造业的蓬勃发展, S912XEP100J4CAG这种原本宏观刻蚀技术被推广到IC制造业,逐渐发展成为独特的微观刻蚀技术,也就是说,现在晶片湿法刻蚀最大去除膜层厚度达几个微米,最小可控制到10A以下。它的特点是等向性刻蚀,即化学反应没有方向性,而且不同膜层和不同化学品有不同反应速率,同一种化学品不同的膜层选择的差异性也很大。因此湿法刻蚀,随着器件的进一步缩减,在精确控制和选择性方面将显现它的优势(如45nm逻辑技术节点以下,使用高介电 常数和金属栅极材料的湿法刻蚀)。
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