美光获2004年最富创新DRAM技术奖
发布时间:2007/8/30 0:00:00 访问次数:406
Semiconductor Insights(SI)日前宣布，美光科技(Micron Technology)凭借6F2 cell架构获得2004 INSIGHT Award最富创新DRAM技术奖。
Semiconductor Insights公司TECHinsights主编Lluis Paris表示，“2004年DRAM产品中出现了不少创新的技术和产品，我们的分析涵盖了业界主要供应商，包括领先的DDR和DDR2部分，我们最终认为美光的6F2是今年最创新的DRAM技术。”
DRAM密度保持稳定增长，要求光刻技术每年维持50%的年度增长。存储器单元需要更高的空间效率，这也要求新的电介质和连接电极材料，美光公司的6F2阵列架构可以实现这个工艺要求。
Paris补充到，“我们分析了从130纳米和110纳米生产工艺的6F2 256Mb DRAM技术，在DRAM密度竞争中，这项创新的技术领先于其他竞争者。”
美光公司首席技术官兼研发副总裁Mark Durcan表示，“我们很高兴6F2获得这项DRAM奖项，6F2架构在很大程度上减少存储器大小，可以把晶圆片利用率增加20%。” （转自 电子工程专辑）
Semiconductor Insights(SI)日前宣布，美光科技(Micron Technology)凭借6F2 cell架构获得2004 INSIGHT Award最富创新DRAM技术奖。
Semiconductor Insights公司TECHinsights主编Lluis Paris表示，“2004年DRAM产品中出现了不少创新的技术和产品，我们的分析涵盖了业界主要供应商，包括领先的DDR和DDR2部分，我们最终认为美光的6F2是今年最创新的DRAM技术。”
DRAM密度保持稳定增长，要求光刻技术每年维持50%的年度增长。存储器单元需要更高的空间效率，这也要求新的电介质和连接电极材料，美光公司的6F2阵列架构可以实现这个工艺要求。
Paris补充到，“我们分析了从130纳米和110纳米生产工艺的6F2 256Mb DRAM技术，在DRAM密度竞争中，这项创新的技术领先于其他竞争者。”
美光公司首席技术官兼研发副总裁Mark Durcan表示，“我们很高兴6F2获得这项DRAM奖项，6F2架构在很大程度上减少存储器大小，可以把晶圆片利用率增加20%。” （转自 电子工程专辑）
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