在当今半导体工业稳步踏人小于45nm的技术节点,对套刻精度的要求越来越高,已经R02101开始进人个位数领域,即小于10nm,平均值+3倍标准偏差(M∞n+3⒏gma)。已经不能满足线性补偿的能力。通常高阶的套刻误差由如下的原因导致:

   (1)网格套刻

   硅片受热不均匀,如在浸没式光刻中水在硅片表面的制冷作用,或者硅片受到非均匀应力,如电磁或者真空吸附,硅片表面快速受热产生永久性范性形变,如快速退火工艺(RapidTher甲al Annealing,RTA)。

   (2)曝光区套刻

   锑头畸变(二阶、三阶畸变),镜头由于温度控制问题产生的畸变(二阶、三阶畸变),以及膜版扫描时的有规律摆动,如沿着X方向的摆动。 解决高阶的套刻误差有赖于对问题的认识和寻找补偿的方法。对于 网格高阶偏差,阿斯麦公司推出“网格地图”(g⒒d mapper)软件。此软件可以使用附加的子程序通过补偿光 刻机的步进来一定程度上弥补高阶网格套刻偏差。