磁性隧道结(MJT)[45],通常是2层铁磁层夹着一层薄绝缘壁垒层,显示出双稳定态的隧穿磁电阻(TMR),作为MRAM中的存储单元。TMR是由于“自由”TA31272FN的铁磁层相对于“固定”层自旋平行或反平行而产生的。CoFeB/MgO/CoFeB结构的MTJ可以产生高达约500%的TMR比率(也就是说约5倍于传统基于A⒈O的MJT)[返5]。典型的MRAM单元[乏6’47]有1⒎1MJT(即一个MJT垂直在一个MOS晶体管上),并且以被2种阵列机制操纵开关,即场开关(由相邻的X/Y写人线产生的磁场控制)和旋转扭矩开关(由通过MJT直接电流控制)。Freescale做了一款4Mb MRAM投人量产(基于0,18um CMOS),基于旋转场开关(“切换”机制),如图3.27所示。旋转扭矩MRAM『4:d9](见图3.28)使用了自旋极化电流通过MJT来对自由层的自旋极性进行开关操作,最近已展现出低写人电流(<106A/cm2,在10ns脉冲下),好的保留性()10年),小单元尺寸(6卩)快速读取(30ns)和好的耐久性(1014)。这个成果正积极展开工业化并且在取代DRAM、SRAM和Flash上展现了很好的前景。MJT的处理流程如图3,29所示。