在淀积磷硅玻璃的反应气体中再掺人硼源(如B2HⅡ),可以形成B:03?∶PIC12LF1840T48A元氧化物薄膜系统PSG。BPSG较PSG有更低的软化温度。BPSG的流动性取决于薄膜的组分、退火丁艺温度、时问,以及环境气氛。BPSG薄膜的回流平坦化退火温度一般在850℃,最低可750℃。实验表明,在BPSG中,当磷的浓度达到5wt%之后,即使再增加磷的浓度也不会降低BPSG的回流温度了。而硼的浓度增大1%,所需回流温度降低大约40℃。当硼的含量超过5wt%时,将发生结晶,形成硼酸根B2O3及磷酸根P20;的晶粒沉淀,薄膜的吸潮性增强,并且变得非常不稳定,甚至导致在回流过程中生成难溶性的BP04,成为玻璃体中的缺陷。因此,BPSG中硼的浓度也不应超过5wt%。

    在CˇD si()2中除了故意掺入的杂质之外,以PECX/^D方法淀积的氧化硅中通常还含有一定浓度的氢,甚至会含有氮,氧与硅的剂量不是严格的化学计量比。H和N在氧化硅中都不是网络形成 毗%:是指重量百分比;后面的dt%是指原子百分比。杂质。H在⒏―O四面体网络中以⒊―H、⒊―O~H、⒊―O―OH形式存在,而N则以N―0等形式存在,这都将导致氧化硅密度下降、薄膜质地疏松和稳定性降低。可以通过高温退火来排除氢,使薄膜致密化,但是氮较难去除。

    另外,即使是相同种类、同种淀积方法,淀积温度也相近,但所采用的反应剂不同时,淀积的二氧化硅薄膜的特性也有所不同,如在7.2.3节中介绍的反应剂到达衬底后的再发射特性和表面迁移特性直接关系到薄膜台阶覆盖能力。而反应剂,特别是其中的硅源,不同硅源与衬底表面的黏滞系数相差很大,黏滞系数越小其再发射和表面迁移能力就越强,薄膜的台阶覆盖能力也就越强。这在实际I艺及应用中也必须考虑。

   目前,常用的反应剂有二种:硅烷系统,主要是sH1/O2、⒏H犭/N20;正硅酸乙酯E记为TEC)s,分子式为s(oH5O)1]系统,主要是TEOS/02、TEOS/O3;二氯硅烷系统,有SlH2C12/N20。在上述反应剂系统中,硅源TEOS与衬底的黏滞系数小,约比硅烷小一个数量级。所以再发射能力和表面迁移能力都强,采用TEOS为硅源淀积的二氧化硅薄膜的台阶覆盖特性好于以硅烷为硅源的反应剂系统。需要在有高深宽比微结构的衬底上淀积氧化层时,为了得到更好的合阶覆盖特性,一定要选择TEOS为硅源。