⒛世纪⒇年代的大范围推广应用期。经历了前述两个时期,我国的晶间管中频电源技术已较成熟。 JANTXV2N5153U3 国产快速晶问管制造工艺采用中子幅照等使关断时间进一步缩短,从35u左右降到z~s ILs左右,甚至⒛u以下;阻断电压已从1600Ⅴ上升到⒛00Ⅴ左右;快速晶闸管的容量进一步提高,单管容量已从500A增加到1000A;控制技术已有撞击式启动、零压启动、内/外桥转换启动等方案,感应加热中频电源的功率容量已从几十千瓦增加到500kW,甚至1000kW。

   ⒛世纪末期的提高性能期。1998年之后,国内开发单机容量1000kW以上的中频电源,推动了快速晶间管制造水平的进一步提高,国内已能生产单管电流容量达⒛00A、笏O0A的快速晶闸管元器件,但关断时间对15OOA以上的晶闸管仍然很难降到⒛灬以下。为了解决大中频电源的重炉启动问题,开发出了第五代中频电源控制板,即不要同步变压器的自对相和相序自适应的扫频启动板,使晶间管中频电源的性能和水平上了一个很高的档次。

   为了解决电网的污染问题,提高效率,借助于⒑BT及M0叩ET制造水平 的提高、容量的扩大和成本的下降,中变频电源已在小容量领域从晶闸管向以⒑BT和MOsFET为主功率器件的高频电源过渡(工作频率范围为⒛~⒛0kHz),并已批量投人I业生产中应用。

   中频电源技术现状

   目前国产中频电源都采用并联谐振型逆变器结构,因此在研究和开发更大容量的并联逆变中频电源的同时,研制结构简单、易于频繁启动的串联逆变中频电源是国内中频感应加热装置领域有待解决的问题。尤其是在熔炼、铸造应用中,串联逆变中频电源易实现全工况下恒功率输出(有利于降低电能损耗)及一机多负载功率分配控制,更值得推广应用。