采用交变电场代替直流电场激发气体辉光放电时,如果交变电场

是50~60Hz的低频电场, K4B1G0846E-HCK0因频率较低,气体辉光放电类似于直流情况,只是阴极和阳极两个电极交替变换极性,在放电外貌上是两个不同极性下放电外貌的叠加,而发光强度是一个周期内的平均值。当频率高达5~30MHz的射频时,与直流放电现象就很不相同了。国际上通常采用的射频频率多为美国联邦通讯委员会建议的13.56MHz。

   射频气体辉光放电装置如图⒎16所示。在激发装置如图⒎16(a)所示的玻璃管内,气体真空度范围比直流时略低,L和R极之间加载射

频(5~30MHz)范围的交变电压。因为电场周期性地改变方向,则带

电粒子不易到达电极而离开放电空间,这样就相对地减少了带电粒子的损失。同时在两极之间不断振荡运动的电子可以从高频电场中获得足够的能量并与气体分子碰撞,使得电子和离子浓度高于直流辉光放电时的浓度,因此只要有较低的电场就可以维持辉光放电。而阴极 产生的二次电子发射也不再是气体击穿的必要条件。另外,射频电场与直流电场的不同还在于可以通过任何一种类型的阻抗方式与气体耦合,所以电极与气体接触表面可以是导体,也可是绝缘体。由图⒎16(b)所示的平均电位分布可知,等离子体电位高于两极,这是等离子鞘效应带来的,如果两个电极面积相同,AI'=AR,电势差应相同,有VL=VR;如果两电极面积不同,AI≠AR,考虑流过等离子体的电流,当前,采用射频气体辉光放电产生等离子体是利用等离子体技术的集成电路工艺中最常采用的方法,射频发生器的频率在13.56MHz,两个电极与等离子体接触的表面可以是绝缘体,两电极面积之比是随具体设备及用途可变化的。射频放电的激发源有两种类型,一种是用高频电场直接激发的,称为E型放电;另一种是用高频磁场感应激发的,称为H型放电。