锗和硅是两种重要的半导俸，在固态G10N60RUFD器件时代之初，第一个晶体管是由锗制造的。但是锗在工艺和器件性能上有问题。它的937℃熔点限制了高温工艺，更重要的是，它表面缺少自然发生的氧化物，从而容易漏电。

  硅与二：氧化硅平面f艺的发展解决r集成电路的漏电问题，使得电路表面轮廓更平坦并日．硅的1415℃的熔点允许更高温的T艺，因此，如今世界}：超过r 90%的生产用品圆材料都是硅.

    半导体化合物

   有很多半导体化合物由元素周期表中第II族、第III族、第V族和第VI族的元素形成．、在这些化合物中，商业半导体器件中用得最多的是砷化镓( GaAs)、磷砷化镓(GaAsP)、磷化铟( InP)、砷铝化镓(GaAIAs)和磷镓化铟(InGaP)l。、这些化合物有特定的性能2，例如，当电流激活时，由砷化镓和磷砷化镓做成的二极管会发出可见的激光√它们和其他材料用于电子面板中的发光二极管( LED)。由于开发出一系列彩色光的其他化合物，发光二极管有里程碑式的增长。

   砷化镓的一个重要特性就是其载流子的高迁移率。这种特性使得在通信系统中砷化镓器件比硅器件更快地响应高频微波并有效地把它们转变为电流、，

   这种载流子的高迁移率也是对砷化镓晶体管和集成电路的兴趣所在。砷化镓器件比类硅器件快两到三倍，应用于超高速计算机和实时控制电路（如色机控制），

   砷他镓本身就对辐射所造成的漏电具有抵抗性、j辐射（如宇宙射线）会在半导体材料中形成空穴和电子，它会增大不需要的电流，从而造成器件或电路的功能失效或损毁。可以在辐射环境下工作的器件称为辐射加固( radiation hardened)器件。砷化镓是天然辐射加固材料。

   砷化镓也是半绝缘的。这种特性使邻近器件的漏电最小化，允许更高的封装密度，进而由于空穴和电子移动的距离更短，电路的速度更快了。在硅电路中，必须在表面建莎特殊的绝缘结构来控制表面漏电。这些结构使用了不少空间并且减少电路的密度.