等离子体浸没掺杂(PIIID)技术最初是1986年在制备冶金工业中抗蚀耐磨合金时提出的,也称RT8207LZQW等离子体离子注人、等离子体掺杂或等离子体源离子注人掺杂。1988年,该技术开始进人半导体材料掺杂领域,用于薄膜晶体管的氧化、高剂量注入形成埋置氧化层、沟槽掺杂、吸杂重金属的高剂量氢注人等工序。与传统注人技术不同,PIIID系统不采用注人加速、质量分析和离子束扫描等工艺。在 PⅢD操作系统中,一个晶片放在邻近等离子体源的加工腔中,该晶片被包含掺杂离子的等离子体包围。当一个负高压施加于晶片底座时,电子将被排斥而掺杂离子将被加速穿过鞘区而掺杂到晶片中。PIIID技术用于CMOs器件超浅结制备的优点如下:

   ①以极低的能量实现高剂量注入;

   ②注人时间与晶片的大小无关;

   ③设备和系统比传统的离子注人机简单,因而成本低。

   所以可以说,这一技术高产量、低设备成本的特点符合半导体产业链主体发展的方向,此为考虑将该技术用于源-漏注人的主要原因。目前,PIIID技术已成功地用来制各0,18um CMOS器件,所获得器件的电学特性明显优于上述传统的离子注人技术。以前PIIID技术的主要缺点是:硅片会被加热、污染源较多、与光胶有反应、难以测定放射量。可是,现在PIII1,系统的污染已经稳定地减小到半导体I业协会规定的标准,减小与光刻胶的反应将是今后PIIID技术应用之关键。