化学气相淀积是以气相方式输运源,通过化学反应物在单晶或非晶衬底上淀积形成多晶或非晶薄膜的工艺技术。C、①工艺方法和设各都与WIPE类似,其实XlPE也是一种C、①技术, MAX1853EXT 只是对衬底和工艺条件的要求更加严格,而生长的薄膜是单晶外延层而已。超高真空化学气相淀积(UHV/CX/ID)是1986年由1BM提出的新工艺,通常生长室基压可达lO7Pa,源为硅烷(SiH4),衬底为晶格完好的单晶硅,在6O0~750℃之间,甚至更低温度,淀积薄膜为单晶硅。

   UHV/C的最大优点是I艺温度低,这有利于制备杂质陡变分布的薄外延层。而且由于外延生长室真空度高,减少了残余气体带来的污染。另外,设各操作维护比较简单,易于实现批量生产。当前,这种工艺技术已经广泛应用于产业界。

   金属有机物气相外延

   金属有机物气相外延(Metd Organic Vapor Phase E帅axy,MOVPE),在多数情况下叉称为金属有机物化学气相淀积(MOCVD)。该△艺早在1968年就已出现,主要用来制备化合物半导体单晶薄膜。近年来,该工艺技术发展迅速,已用于制备界面杂质陡变分布的异质结、超晶格和选择掺杂等新结构的外延薄膜,MOCVD已成为制备优质外延层的重要手段。

   MOCVD采用Ⅲ、Ⅱ族元素的有机化合物和Ⅴ族、Ⅵ族元素的氢化物作为源材料,以热分解反应在衬底上进行气相外延,生长Ⅲ―Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,以及它们的多元固溶体薄膜。例如,采用MC)CⅥ)两步I艺外延GaAs/s。以二甲基镓E记为TMG,分子式:Ga(cH3)3彐或三乙基镓(记为TEG)和砷烷为源材料,第一步,升温至410~4∷50℃,源在硅衬底-L反应,生成250A砷化镓过渡层;第二步,升温至700℃,生长砷化镓外延层,同时过渡层也转化为单晶.