选择外延(Sdccthe E泌axl时Growth,SEG)是指在衬底表面的特定区域生长外延层,而其他LD2985BM33R区域不生长外延层的外延工艺。选择外延最早是用来改进集成电路各元件之间的隔离的方法,为了利于接触孔的平坦化,以及许多重要元件要求在特定区域进行外延而发展起来的一种I艺技术。图⒊14所示是两种选择外延方法的示意图。

   在图⒊14的(b)中,衬底窗口硅表面外延生长硅是同质外延,易于正常生长。而在二氧化硅台阶上若生长硅则是异质外延,且二氧化硅又是非晶态,不易成核生长。所以,落在二氧化硅表面的硅原子大多会迁移到更易生长的硅单晶窗口区域。在图⒊14的(c)中,着外延时间的延长,二氧化硅表面有可能形成一些小的硅核,但囚二氧化硅是非晶态,形成的多个小硅核连接成片,就生长成为多晶硅薄膜。