微波器件的芯片制造,需要具有突变杂质分布的复杂多层结构衬底材料。可以采M24C32-WMN6T用多层外延工艺来实现这类衬底材料的制各。所以,基于外延I艺能够制备特殊杂质分布外延层这一特点,电子产品工艺设计的灵活性大大增强。

   近年来,随着外延工艺的发展,硅外延片质量不断提高,特别是薄外延片,比一般抛光片更具有表面性能方面的优势。在硅的抛光片表面或靠近表面处有硅氧化物的沉积,还有因抛光加工过程在硅片表面造成的微缺陷和表面粗糙等缺陷。而外延片是在抛光片上生长的外延层,新生成的外延层表面没有抛光微缺陷,表面晶格也趋于完整,不含硅的氧化沉积物。因此,为了提高单极型集成电路的性能,J∏汀aMOs电路、动态随机存储器和CMOS集成电路①等产品也都采用外延片来制备。

   在CMOS电路中,完整的器件是做在一层很薄的(2~4um)轻掺杂p型(在某些情况下是本征的)夕卜延层上,如图33所示是双阱CMOS电路剖视图。将CMOS电路制作在外延层上比制作在体硅抛光片上有以下优点:①避免了闩锁效应;②避免了硅表面层中硅氧化物的沉积;③硅表面更光滑,损伤最小。CMOS电路中的寄生闩锁效应会使电源和地之间增加一个低电阻通路,造成很大的漏电流,漏电流可能导致电路停止工作。虽然很多工艺和设计技术都能够减小闩锁效应,但是采用硅外延片的效果更好,这已成为超大规模集成电路中CMOS微处理器电路的标准△艺。

    异质外延在集成电路中也有应用。目前,硅的异质外延主要是sOI(绝缘体上硅)技术,其中SOs集成电路是应用最普遍的α汀技术。

   采用异质外延的⒏)S/CMC)S电路,外延衬底为绝缘的蓝宝石,能够有效地防止元件之间的漏电流,抗辐照闩锁。而且其结构尺寸比晶体硅CM(,~s电路小,l,xl⒏)s结构不用隔离环,元件制作在硅外延层小岛上,岛与岛之间的隔离距离只要满足光刻工艺精度,就能达到电隔离要求,所以元件之间的间距很小,CM(B电路的集成度也就提高了。