金属传导的另一个限制就是它只能通过电子的移动来导电。金属永远是N型的。通G03H1202过掺杂特定的掺杂元素，半导体可以成为N型或者P型。N型和P型半导体可以用电子或者空穴来导电。在了解传导机理之前，r解在半导体结构中自由（多余）电子或空穴的形成是有益的。

   为理解N型半导体，将很少量的砷(As)掺入硅(Si)中。假定即使混合后每一个砷原子也被硅原子所包围。使用“元素周期表”一节的规则，原子试图通过在外层有8个电子来达到稳定，砷原子表现为与其邻近的硅原子共享4个电子但是，砷来自第V族，外层有5个电子，直接的结果是其中的4个电子与硅中的电子配对，最后一个留下来。这一个电子町以作为传导电子。

   考虑到硅晶体中每立方厘米中有百万个原子，从而也就有很多电子可以用来导电．，在硅中，掺杂元素砷、磷和锑会形成N型硅。

   对P型材料的理解方法是相同的。不同之处在于使用来自元素周期表中第III族的硼来形成P犁硅。当硼混入硅中，它也与硅原子共享电子。不过，硼只有3个外层电子，所以在外层会有1个无电子填充的位置。这个未填充的位置就称为空穴( hole)．