虽然Hgcdte材料相对于以往的红外探测器材料来说有着许多优势,但是HgCdTe材料制作的探测器同样存在很大的局限,主要表现为:

   (1)HgCd%的晶体制备困难,材料具FAN8200有较高的本征缺陷密度,且在较高温度或辐射作用下性能不稳定;

  (2)HgCdTe要求有极为精确的组分控制,精确地确定其禁带宽度,以控制材料的光谱响应截止波长,这就要求整个晶片有很高的组分均匀性,这使得制各探测器阵列难度增大;

   (3)H匹dTe材料本身存在着严重的隧道效应,用这种材料制作的器件在T9Κ工作时隧道电流大,为了使其能够灵敏地探测出红外辐射量的微弱变化,必须在低温制冷条件下工作,以抑制热噪声的影响,因而装置复杂,价格昂贵,使用不方便,在应用方面受到诸多限制。