“超越摩尔定律”已成为封装文献的口头禅。它指出随着晶体管按比例缩小，集成电ADC081C021CIMK+路的密度正在最大限度地达到物理极限。公认的“超越摩尔定律”意味着在一个封装体内封装更多功能的技术，即通常所说的系统级封装( SIP)。行业正在开发基于两种基本方法的众多方法：堆叠芯片和堆叠封装体[封装体上封装体(PoP)]。

   芯片叠层技术

   4种芯片叠层技术：单片( monolithic)、晶圆上品圆(Wafer-on．Wafer)、晶圆上芯片( Die-on-Wafer)和芯片上芯片(Die-on-Die)。

   单片：单片技术是在晶圆制造过程中建立多个电路层。每个电路层之间使用金属塞或多个金属层通过技术。

   晶圆上晶圆：具有不同电路的单个晶圆被减薄，凸点或焊球键合在一起。3D分离把三维堆叠的全部互连。有些系统利用钻通孔或刻蚀穿透晶圆使其可以键合，称为穿透硅通孑L( TSV)。其他排列将不同尺寸芯片引线键合到封装体的基板；另一个方案是对于凸点或焊球键合单个晶圆，和对于封装体的额外的连接也使用引线键合。

   晶圆上芯片：来自一个晶圆的芯片被键合到另一个芯片分离前晶圆在芯片上的位置。连接是通过穿透硅通孔和凸点／球焊简化的。

   芯片上芯片：来自分离晶圆的芯片被划成小块，并通过TSV和凸点／焊球键合到一个集成的叠层上。这个方案的优点是更高的封装良品率，因为进入到这个封装过程的单个芯片是已知的合格芯片。