德国芯片厂商英飞凌(Infineon Technologies AG)日前向来自全球各地的记者展示了其下一代存储技术开发的广度，重申了对于内存业务的承诺。它的下一代存储技术包括它最近与IBM合作开发的全球首款16位MRAM。
    英飞凌存储产品事业部的首席技术官Wilhelm Beinvogl列举了MRAM、铁电、conductive-bridging、相变RAM和有机RAM等新兴的非易失性内存。尽管其中许多技术仍然处于早期开发阶段，但英飞凌显然打算利用替代性内存技术来保证其未来前景。

    Beinvogl承认，在探索把非易失性与高速和高写入耐久性结合起来的通用内存方面，英飞凌和其它大型内存厂商认为，除了同时涉猎“几项诱人的替代方案”以外，没有别的选择。“产业对于选择什么方案并没有共识。”他说。

    市场调研公司Semico Resarch Corp.的副总裁Sherry Garber表示，英飞凌策划的上述公关活动，等于发出了这样的信息：“英飞凌仍在从事DRAM业务。”

    市场调研公司VLSI Research Europe的常务董事Bob Marinar表示，虽然DRAM业务利润率较低，而且市场有周期性起伏，但英飞凌“不能放弃内存业务，除非它变成一个非实体性的半导体(non-entity semiconductor)”制造商。Marinar指出，内存产品占英飞凌销售收入的40%。

    在英飞凌正在研究的新型存储技术中，MRAM在产品开发方面取得了最大的进展。IBM与英飞凌合作开发的16位MRAM原型，号称是密度最高、单元尺寸最小、制造工艺最简单的多兆位MRAM。两公司希望MRAM原型结束实验阶段，进入试生产。

    Beinvogl承认，MRAM开发仍然处于早期阶段，成本/位/单元尺寸仍然太高。要想使MRAM成为一种实用的内存技术，必须在未来两年内进一步调试、提高合格率和缩小单元尺寸。

    产业观察家表示，单凭这些挑战，就会使英飞凌的内存部门忙活好几年。 （转自 慧聪网）