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对微控制器构成的系统,

发布时间:2017/3/7 21:41:20 访问次数:294

   对于抗噪能力弱、P06P03LV开关时电流变化大的器件,如RAM、RoM存储器件,应在芯片的电源线和地线之间直接接人去耦电容。

   电容引线不能太长,尤其是高频旁路电容不能有引线,应使用贴片陶瓷电容。

   去耦电容值的选取并不严格,可按C〓1〃计算:即10MHz的电路取0.1uF。

   对微控制器构成的系统,取0.1~0.01uF之间都可以。好的高频去耦电容可以去除高达1GHz的高频成分。陶瓷片电容或多层陶瓷电容的高频特性较好。此外,还应注意以下两点。

   在印制板中有接触器、继电器、按钮等元器件时,操作它们时均会产生较大火花放电,必须采用RC吸收电路来吸收放电电流,一般R取1~2kΩ,C取2.2~4.7uFoCMOs电路的输入阻抗很高,且易受感应,因此在使用时对不用端要通过电阻接地或接电源,不允许悬空。


   对于抗噪能力弱、P06P03LV开关时电流变化大的器件,如RAM、RoM存储器件,应在芯片的电源线和地线之间直接接人去耦电容。

   电容引线不能太长,尤其是高频旁路电容不能有引线,应使用贴片陶瓷电容。

   去耦电容值的选取并不严格,可按C〓1〃计算:即10MHz的电路取0.1uF。

   对微控制器构成的系统,取0.1~0.01uF之间都可以。好的高频去耦电容可以去除高达1GHz的高频成分。陶瓷片电容或多层陶瓷电容的高频特性较好。此外,还应注意以下两点。

   在印制板中有接触器、继电器、按钮等元器件时,操作它们时均会产生较大火花放电,必须采用RC吸收电路来吸收放电电流,一般R取1~2kΩ,C取2.2~4.7uFoCMOs电路的输入阻抗很高,且易受感应,因此在使用时对不用端要通过电阻接地或接电源,不允许悬空。


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