目前三元、四元合金的金属膜电位器在很大程度上克服了上述缺点,其阻值范围可达10~⒛×1O3Ω、接触电阻为2%,高频达100MHz。 U4082B通常金属膜电位器的高频特性比线绕电位器和合成型电位器好。

   用真空蒸发法制成的铝一氧化硅也可归于金属膜一类;这种电位器的阻值范围比较宽(0,05~100kΩ),耐磨性和稳定性均较好,温度系数在阻值为5~6kΩ时接近0,低阻时呈正向变化、高阻时呈负向变化。

   氮化钽膜电位器的电阻体是用微电子学中发展起来的反应溅射法制成的;它以钽金属作为阴极,在具有适当的氮气分压的氩气条件下进行溅射,并通过适当的处理而制成。氮化钽膜电位器的特点是阻值范围小(0.1~10kΩ);温度系数较小(最小可达±0.25×1o6/℃);

稳定性好(常温常湿条件下放置1000h,阻值变化在0.05%以下);滑动噪声小(比碳合成膜或金属玻璃釉电位器要小);高频特性好(直流至80MHz时,其阻值几乎不变);可靠性和耐磨性好。