⒛世纪⒇年代的大范围推广应用期。经历了前述两个时期,我国的晶间管中频电源技术已较成熟。G2237208001PC1国产快速晶问管制造工艺采用中子幅照等使关断时间进一步缩短,从35u左右降到z~s ILs左右,甚至⒛u以下;阻断电压已从1600Ⅴ上升到⒛00Ⅴ左右;快速晶闸管的容量进一步提高,单管容量已从500A增加到1000A;控制技术已有撞击式启动、零压启动、内/外桥转换启动等方案,感应加热中频电源的功率容量已从几十千瓦增加到500kW,甚至1000kW。

   ⒛世纪末期的提高性能期。1998年之后,国内开发单机容量1000kW以上的中频电源,推动了快速晶间管制造水平的进一步提高,国内已能生产单管电流容量达⒛00A、笏O0A的快速晶闸管元器件,但关断时间对15OOA以上的晶闸管仍然很难降到⒛灬以下。为了解决大中频电源的重炉启动问题,开发出了第五代中频电源控制板,即不要同步变压器的自对相和相序自适应的扫频启动板,使晶间管中频电源的性能和水平上了一个很高的档次。

   为了解决电网的污染问题,提高效率,借助于⒑BT及M0叩ET制造水平的提高、容量的扩大和成本的下降,中变频电源已在小容量领域从晶闸管向以⒑BT和MOsFET为主功率器件的高频电源过渡(工作频率范围为⒛~⒛0kHz),并已批量投人I业生产中应用。