功率半导体器件通常要求功率损失尽量小且在实际应用中不被击穿,器件的I作温度对此影响很大c当工作温度迅速上升时,传统的IPM可被击穿,这种击穿发生是因为提供温度保护的温控器安装在IGBT芯片的绝缘基板上, PBSS4350SPN由寄生电容或控制电路的寄生电感产生的噪声有时会使⒑BT产生误动作。控制电路产生的这种寄生电容和寄生电感是因为控制电路是由很多电子组件组成的,因此必须设法解决这些额外电子组件产生的寄生电容和寄生电感问题;更多的电子组件使寄生电容和寄生电感增大,因此噪声越来越高。传统IPM使用了大量分立元器件,使得控制电路难以实现小型化和低成本。R系列IPM正是为解决这些问题而开发的。

   R系列IPM的主要特点

   R系列IPM具有以下特点。

    (1)低功耗,软开关,使用第三代⒑BT芯片。

   (2)⒑BT能用到结温的最大值而不会击穿。由于其通过直接检测IGBT的结温来提供温度保护,所以能够选择一个等级更合适的IPM模块以降低成本。

   (3)R系列IPM使用的组件比传统IPM少得多(仅有传统IPM的5%)。因为控制电路被集成到独立的IC中,所以R系列IPM坚固、可靠性极好、性能价格比高。

   (4)R系列IPM噪声的极值不足以使IGBT产生误动作,这是因为IPM中优化了控制电路的设计。

   (5)R系列IPM对异常的工作环境比传统JPM反应更迅速,如过流翻过热等。

   (6)R系列IPM能提供精确的半导体器仵工作数据,这些数据在主回路设计中是必需的,这些特点将对防止组件击穿和降低系统成本有很大的参考价值。

   与过去IGBT模块和驱动电路的组合电路相比,R系列IPM内含驱动电路且保护功能齐全,因而极大地提高了应用系统整机的可靠性。