EsD以极高的强度很迅速地发生,放电电流流经LED的PN结时,产生的焦耳热使芯片PN两极之间局部介质熔融,造成PN结短路或漏电,对失效器件解剖分析,K4D261638I-LC50一般在高倍金相显微镜下,可以观察到引起即时的和不可逆转的损坏击穿点,但是受到解剖手段和器件封装材料的限制,经常因为芯片污染或机械损伤等原囚,而不能确定击穿点。反向放电时,电流较正向放电集中,功率密度大,囚此LED反向放电EsD失效阈值较正向低得多。

   器件在EsD性能测试和检验时,主要测量反向放电所承受的电压。为防止抗静电放电能力不强的或已经静电放电损伤的器件流入市场,对后序设备和产品的进一步损害,所有的发光二极管成品在出厂前都要经过静电放电测试,以确保其ESD性能正常。由于器件品种,功能,生产厂家都存在很大差异,为确保ESD性能的良好和一致,统一的静电放电测试标准就格外重要。