荧光粉转换白光发光二极管
发布时间:2016/11/2 22:03:39 访问次数:1262
利用GaN基LED激发荧光粉实现白光主要有两种方式,一种是利用蓝光LED(波长450~4ωnm)激发黄色荧光粉,LM3404HVMA荧光粉受激发发射的黄光与LED的蓝光混合成白光,如图⒋刀所示。另一种是利用紫外LED激发红、绿和蓝色荧光粉,荧光粉受激发射R、G、B三基色光合成自光,其封装结构与图⒋27类似。
目前,最常用的黄色荧光粉是19%年由日本日亚公司首先研制出的掺铈钇铝石榴石黄光荧光粉YAG∶Ce3+[(Yl~xGdx)3(Al1yG%)5012∶C刚。光原理图。由图可见,αⅨ基LED辐射的460nm波长的光子被YAG∶Cc3+黄色荧光粉的5dl最低的位于5,1cV的激发态能
级吸收,跃迁至低能态4卩时,发射波长为58011m的黄光。
荧光粉的典型涂覆方法如图⒋29所示,图中外框为LED管壳,贴在管壳中央的为蓝光LED管芯,小球为黄色荧光粉,其他为胶体。图⒋29(a)为点胶工艺制出的白光LED结构示意图,将荧光粉与透明环氧树脂或硅胶混合均匀搅拌,利用点胶机将荧光粉胶体点至管壳或支架中LED芯片处。其优点是工艺简单,成本低。但是,由于荧光粉本身的粒径不同,造成在胶体内的沉淀速率不同而 产生的荧光粉空间分布不均匀,最终造成白光LED的色温空间分布不均匀。图⒋29(b)为保型涂覆荧光粉置艺制出的白光LED结构示意图。实现保型荧光粉涂覆的方法很多,如电泳法(Electrophorcsk DcpOsitioll,简称为EPD),将荧光粉均匀地直接分布于LED芯片表面。该方法可以大幅改善荧光粉空间分布均匀性,减少荧光粉用量。图⒋29(c)为远场
分离式荧光粉涂覆工艺制出的白光LED结构示意图,将荧光粉均匀地涂覆于封装后的LED胶体的表面,使荧光粉与LED芯片有效分离ε该方法可以减少LED芯片对背向散射黄光的吸收,提升了黄光利用率,从而提高了发光效率,色温空间分布均匀也同时得到了改善。
利用GaN基LED激发荧光粉实现白光主要有两种方式,一种是利用蓝光LED(波长450~4ωnm)激发黄色荧光粉,LM3404HVMA荧光粉受激发发射的黄光与LED的蓝光混合成白光,如图⒋刀所示。另一种是利用紫外LED激发红、绿和蓝色荧光粉,荧光粉受激发射R、G、B三基色光合成自光,其封装结构与图⒋27类似。
目前,最常用的黄色荧光粉是19%年由日本日亚公司首先研制出的掺铈钇铝石榴石黄光荧光粉YAG∶Ce3+[(Yl~xGdx)3(Al1yG%)5012∶C刚。光原理图。由图可见,αⅨ基LED辐射的460nm波长的光子被YAG∶Cc3+黄色荧光粉的5dl最低的位于5,1cV的激发态能
级吸收,跃迁至低能态4卩时,发射波长为58011m的黄光。
荧光粉的典型涂覆方法如图⒋29所示,图中外框为LED管壳,贴在管壳中央的为蓝光LED管芯,小球为黄色荧光粉,其他为胶体。图⒋29(a)为点胶工艺制出的白光LED结构示意图,将荧光粉与透明环氧树脂或硅胶混合均匀搅拌,利用点胶机将荧光粉胶体点至管壳或支架中LED芯片处。其优点是工艺简单,成本低。但是,由于荧光粉本身的粒径不同,造成在胶体内的沉淀速率不同而 产生的荧光粉空间分布不均匀,最终造成白光LED的色温空间分布不均匀。图⒋29(b)为保型涂覆荧光粉置艺制出的白光LED结构示意图。实现保型荧光粉涂覆的方法很多,如电泳法(Electrophorcsk DcpOsitioll,简称为EPD),将荧光粉均匀地直接分布于LED芯片表面。该方法可以大幅改善荧光粉空间分布均匀性,减少荧光粉用量。图⒋29(c)为远场
分离式荧光粉涂覆工艺制出的白光LED结构示意图,将荧光粉均匀地涂覆于封装后的LED胶体的表面,使荧光粉与LED芯片有效分离ε该方法可以减少LED芯片对背向散射黄光的吸收,提升了黄光利用率,从而提高了发光效率,色温空间分布均匀也同时得到了改善。
上一篇:白光发光二极管
上一篇:封装结构LED的自光发光原理