若LED的侧面发光面积足够大且底面光反射,也将构成昭个出光面(〃≤5),在这种情况下,LM2903QDRQ1总的光引出效率为式(4,昭)的仍倍。图⒋16为不同器件结构的LED与光逃逸锥角个数P99的关系示意图。以AlGaInP(刀s≈3.5)制作的6种功率型LED芯片为例,(a)为薄顶层+吸收衬底:粥=1,‰″口c″@刀≈5%;(b)为薄顶层+透明衬底:粥=2;(c)为加厚顶层+吸收衬底:昭=1+4×0.5,‰`抑而。″≈15%;(d)为加厚顶层+透明衬底:阴=1+l+4×0.5;(e)为超厚顶层+吸收衬底:昭=1+4×1;(f)为超厚顶层+透明衬底:昭=l刊+4×1,‰″≈30%。由此可见,在器件结构设计中,加厚顶层及在LED衬底增加反射层均可有效提升光引出效率。在封装设计中,在芯片四周涂覆曲面形的高折射率胶体也会提升光引出效率。

   图⒋16 不同器件结构的LED与光逃逸锥角个数,99的关系示意图