场效应管是一种电压控制型半导体器件。场效应管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定ADM9240ARU性好、功耗小、抗辐射能力强和便于集成等优点,但容易被静电击穿。

   1.场效应管的分类

   按电场对导电沟道的控制方法不同可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET);按导电沟道的材料不同可分为N型沟道和P型沟道两类;按工作方式不同可为耗尽型和增强型;按栅极与半导体间绝缘层所用材料不同可为MOS管、NINS管等多种。

   2.结型场效应管

   结型场效应管有N沟道和P沟道两种。在一块低掺杂的N型基片上的两侧扩散两个高掺杂的P型区,形成两个PN结,就构成N沟道结型场效应管,其结构如图3,2'5(a)所示。

   3.绝缘栅型场效应管(MOS)

   绝缘栅型场效应管与结型场效应管的不同之处在于它的栅极是从绝缘层L引出的,栅极与源极及漏极是绝缘的,绝缘栅型场效应管也有N沟道(NMOS)和P沟道(PMOS)两类,如图3,2.5(b)所示为N沟道绝缘栅型场效应管结构图。