I.s曲nitzcr等人提出用自然光刻法,采用旋转镀膜的方法将直径300nm的聚苯乙烯球镀在LED表面, JST5N60F这些小球遮挡住部分表面,然后用等离子刻蚀的方法将未遮挡的表面部分刻蚀至170nm深度,形成了粗糙的LED表面。R。WiIldisch报道了经过表面粗糙处理后的GaAs基倒装结构发光二极管的外量子效率达到笱%P剔。国内也有人研究过在A1GaInP红光系LED上表面制备一层介质层,其材料折射率处于空气与半导体材料的折射率之间,增大了出光的角度,使得光提取效率增加了35%以上卩剑。

   Hyung-Joo Lcc等人习研究了表面粗化的p型GaN层对630nm AlGaInP LED出光效率的影响,结果表明出光效率和生长在GaP表面粗化的p型GaN表面形态密切相关,此粗化表面是在525℃的温度下通过控制Mg的不同流速制得的,实验发现,在Mg的流速为钔0sccm时,光出效率最高,比传统LED高出115%。