Guo-Dollg Hao等人研究了基于消散波耦合效应的一种AlC1aInP LED表面结构,通过光刻和湿法腐蚀工艺,在薄膜AlGaInP LED表面生长了一种满足消散波耦合效应的次波长大小的表面脊型结构。实验表明,JST5N60P由于微小脊形结构的消散波耦合效应,与无此结构的LED对比,生长此结构的LED光出功率提高了约3.8倍。

   图⒍21 (a)在光出表面带有脊形结构的AlGaInP LED结构图; (b)脊形结构的sEM图像;(c)脊形结构和平面结构的光出功率对比

文献[35]报道了具有sio oDR结构,Au Au键合制作的0,6um GaP AlGaInP LED,经稀盐酸湿法腐蚀、粗化n~AlGaInP电流扩展层,粗化形状为三角的金字塔形,尺寸大约在lum左右。⒛m⒋电流下,粗化与未粗化LED的光功率为4,能mW和2.71mW,光功率经粗化后提高"%,粗化表面图像如图6-22所示。