对于GaN基LED,不管是蓝宝石衬底,还是碳化硅衬底,或者是硅衬底;也不管是传统正装结构,EP1C3T100I7N还是倒装结构,或者是垂直结构,都面临着p-GaN的欧姆接触、反射率以及其热稳定性的问题。一方面很难做到高掺杂p-GaN,另一方面掺杂的受主原子(Mg)的离化能较高(约⒛0mcV),造成离化率只有l%左右。因此,相对n~GaN而言,p-GaN的载流子浓度很低,再者p-GaN的功函数较大(约7.5cV),基本没有功函数与之匹配的金属(金属中功函数最大的Pt也只有5.65cV),所以,GaN基LED的p型层接触是其关键技术之一。

   一般的LED灯珠应用都只是需要单面出光,而量子阱(multi-quantum well,MQW)发光是全方位的,因此需要不出光的那一面对可见光波段的反射率很高才能提高LED的光提取效率。

   正装结构芯片,一是其P、N电极焊盘以及出光面在同一侧,这种结构一者损失了较大的发光区;二是电极焊盘在出光面上吸光造成光损失;三是因其衬底蓝宝石热导率低(35W/mK)而使得散热不佳。            

  倒装结构芯片以衬底面出光,出光面与电极焊盘不在芯片的同一侧,因此要求在p-GaN那一面在保证低比接触电阻的欧姆接触前提下具有高反射率,同时接触层金属还是散热通道,这种结构的发光区损失比正装结构小,热量不主要靠蓝宝石衬底那一面散热,但是工艺较为复杂,良率通常较难做到与正装结构一样高。