垂直结构芯片,其P、N电极焊盘分别在芯片的两边,一般N电极朝上,为出光面,因此N电极焊盘要求保证与n~GaN形成低接触电阻的欧姆接触的同时具有高的反射率,P电极面不出光,要求高反射率,同时与p-⒍Ⅸ形成低接触电阻的欧姆接触。EP1C3T144C7N这种结构一般需要将衬底剥离下来,做成薄膜垂直结构芯片,其特点是电流扩展较好,热阻小,可承受大电流驱动等。

   金属银(Ag)在可见光波段具有很高的反射率(>95%),常被用来做LED的反射层,然而,因为其低的功函数而使之很难与p-αⅨ形成好的欧姆接触,而且,Ag与少⒍Ⅸ的黏附性很差,导致很容易脱落,这个问题通常在Ag与p-⒍Ⅸ中间加入插入层来解决卩〕]。镍(Ni)、钛(△)等具有较高的功函数(Ni功函数5.2cV,△功函数4.33eV)并且具有良好的黏附性,通常被选作插入层,但是Ni/Ag在可见光段的反射率较低,约为54%(与Ni的厚度有关),并且Ag在退火中易球聚(agg1omeration)和氧化(oxidiZCd)°金属铝(Al)不但在可见光波段具有较高反射率,在紫光及紫外波段也具有较高的反射率(参见图5-18),并且Al较为便宜,因此Al也常被用作LED反射层金属。但是Al的功函数很低,不能直接与p-GaN形成欧姆接触,需要其他插入层。Al也与Ag一样具有黏附性、球聚、氧化的问题,需要在芯片制造过程中通过其他方式来克服。