隐形切割被广泛用来提高GaN基LED的光性能。利用超短波长极高能量密度产生非线性多光子吸收效应的优势,Al O键可以被直接分离,EN80C196KC20在蓝宝石衬底的中心产生空气孔洞。分开芯粒后,隐形切割在芯粒侧壁形成小的粗化区域只能产生很小的LOP提升。然而,这 种非接触低损伤的方法给我们提供了对GaN基LED在蓝宝石中引入微纳米结构而提高亮度的可能。Ⅵyun zhang等人[l"通过皮秒脉冲激光在InGaN基LED的蓝宝石衬底侧面制程哑铃状的空气孔(如图5-7所示)来提高LED的光提取效率。1001mA驱动下,激光引入空气孔的LED封装后出光功率比传统LED高z.7%[女口图5-8(a)所示]。远场辐射光型(Far-Ⅱeld radi缸on pattcm)证实这种巨大的提升[如图5-8(b)所示]是由于蓝宝石和空气界面之间的散射而实现的。正/曲线表明引入空气孔没有使LED的电性能退化,甚至在△0V下的5nA级别的漏电反而较传统LED有所改善。