照明用小功率芯片因为其面积较小
发布时间:2016/8/5 20:10:49 访问次数:583
以上两种结构设计都是在P电极上增加了一根枝条电极,主要作用是便于电流扩展, JANUS-B3增加出光效率,同时减小P电极与N电极的距离,有利于芯片电压的降低。通常也是小功率芯片中尺寸偏大一些的芯片才会采用这两种结构,例如8×12mi12、8×15mi12、9×15mi12 等尺寸。
照明用小功率芯片因为其面积较小,因此在制备工艺的设计与选择上与中大尺寸芯片有明显的差别。首先,因为面积很小,一般不用枝条电极,并且将P、N焊盘置于芯片的两对角线上,这样电流会比较集中在P、N焊盘之间的区域,两翼区域电流密度较小,因此老化、ESD等测试中常见的不良区也是P、N焊盘之间的区域,同时也是因为这个原因,P、N焊盘位于对角线的小功率芯片设计成长方形,便于降低电压和充分利用发光面积;其次,芯片面积很小,所以侧壁出光在总出光中占比很大,所以芯片的厚度对封装后的亮度影响较大,在一定范围内,芯片厚度越厚越有利于提高亮度,但是同时要考虑裂片的成品率。芯片面积小,太厚可能导致双胞;再次,小功率芯片一般对应低端应用,所以成本上的考虑也是重要的方面。一般小功率芯片不做电流阻挡层、背镀、表面纹理化等工艺;最后,电极焊盘遮光的面积占芯片总面积比例较大,因此反射电极工艺对小功率芯片的亮度
提升极为有利。
以上两种结构设计都是在P电极上增加了一根枝条电极,主要作用是便于电流扩展, JANUS-B3增加出光效率,同时减小P电极与N电极的距离,有利于芯片电压的降低。通常也是小功率芯片中尺寸偏大一些的芯片才会采用这两种结构,例如8×12mi12、8×15mi12、9×15mi12 等尺寸。
照明用小功率芯片因为其面积较小,因此在制备工艺的设计与选择上与中大尺寸芯片有明显的差别。首先,因为面积很小,一般不用枝条电极,并且将P、N焊盘置于芯片的两对角线上,这样电流会比较集中在P、N焊盘之间的区域,两翼区域电流密度较小,因此老化、ESD等测试中常见的不良区也是P、N焊盘之间的区域,同时也是因为这个原因,P、N焊盘位于对角线的小功率芯片设计成长方形,便于降低电压和充分利用发光面积;其次,芯片面积很小,所以侧壁出光在总出光中占比很大,所以芯片的厚度对封装后的亮度影响较大,在一定范围内,芯片厚度越厚越有利于提高亮度,但是同时要考虑裂片的成品率。芯片面积小,太厚可能导致双胞;再次,小功率芯片一般对应低端应用,所以成本上的考虑也是重要的方面。一般小功率芯片不做电流阻挡层、背镀、表面纹理化等工艺;最后,电极焊盘遮光的面积占芯片总面积比例较大,因此反射电极工艺对小功率芯片的亮度
提升极为有利。