图3-27是用于POF光源的650nm RCLED的剖面结构示意图(a)和上电极图(b)[l叨。通过上DBR中AlAs层的侧向氧化,可以使电流有效地注入到出光孔下方的有源区,有源区的自发辐射光由上电极的中心出光孔出射。JST2N60F下面给出图3-27所示RCLED的具体工艺流程:

   (l)外延片清洗。首先用腐蚀液(HF∶NH4F∶△0=3∶⒍10)轻漂⒛s,以去除外延片表面生成的氧化层,再用丙酮、乙醇各煮两遍,去离子冲洗30遍,用N2气吹干。

   (2)光刻台面。首先用正胶光刻出圆柱形台面图形,再用腐蚀液

(CH30H∶HPo3∶H2α∶比o=5△5∶5∶25)湿法腐蚀光刻后的外延片,形成圆柱形台面,直径为130um,腐蚀停至AlGaInP层,侧壁露出AlAs层。腐蚀完成后,去胶,用丙酮、乙醇各煮2遍,去离子水冲洗30遍,并用N2气吹干。

   (3)形成氧化孔。将光刻后露出AlAs层侧壁的芯片进行湿法氧化,炉温380℃,氮气流量1〃min,水浴温度85℃,氧化速率为l,2uWmin,通过调整氧化时间可以得到不同直径的氧化孔。图3-28是不同氧化时间下在显微镜下观察到的氧化孔图形,随氧化时间的增加,氧化孔的不对称性加剧,这是由于AlAs氧化的各向异性靠成的。