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闪存ATz9LVO40A芯片介绍

发布时间:2016/7/7 22:01:27 访问次数:592

    Atmel公司生产的NOR闪存AT29LV040A可与各种单片机连接。 AFB02512HA-A

   OE――输出允许(读)信号线;

   WE――写允许信号线;

   I/o0~I/07――三态双向数据线。

   3.AT29Ⅳ040A的读操作

   1.AT29LV040A自勺主要I性台邕

   ●快速读取时间:150ns。

   ●单一电压下在线编程(编程前自动擦除)电压:3.3V±0,3V。

   ●存储容量:4Mbit(512KB×8)。

   ●以256字节为―页的页写入操作,片内带256字节的地址数据锁存。

   ●单页写入时间⒛ms,芯片擦除时间⒛ms。

   ●低功耗:读/写电流15mA,维持电流钔nA。

   ●CMOS工艺,10000次擦除写入寿命,数据可保存10年。

   ●输入/输出与TTL、CMOs电平兼容。

   ●温度范围:商用为0~70℃,工业用为叫0~85℃。

   2.AT29LV040A的引脚图和引脚介绍

   图2.13是AT99LV040A的引脚图,各引脚功能如下:

   A0~A18――地址线;

   CE――片选线;

   AT29LV040A的读操作与静态RAM完全类似。当  CE=0,OE=0,WE=l时,被选中的

   地址单元的内容读出到外部总线上;当CE或oE处于高电平时,输出线处于高阻态。

    Atmel公司生产的NOR闪存AT29LV040A可与各种单片机连接。 AFB02512HA-A

   OE――输出允许(读)信号线;

   WE――写允许信号线;

   I/o0~I/07――三态双向数据线。

   3.AT29Ⅳ040A的读操作

   1.AT29LV040A自勺主要I性台邕

   ●快速读取时间:150ns。

   ●单一电压下在线编程(编程前自动擦除)电压:3.3V±0,3V。

   ●存储容量:4Mbit(512KB×8)。

   ●以256字节为―页的页写入操作,片内带256字节的地址数据锁存。

   ●单页写入时间⒛ms,芯片擦除时间⒛ms。

   ●低功耗:读/写电流15mA,维持电流钔nA。

   ●CMOS工艺,10000次擦除写入寿命,数据可保存10年。

   ●输入/输出与TTL、CMOs电平兼容。

   ●温度范围:商用为0~70℃,工业用为叫0~85℃。

   2.AT29LV040A的引脚图和引脚介绍

   图2.13是AT99LV040A的引脚图,各引脚功能如下:

   A0~A18――地址线;

   CE――片选线;

   AT29LV040A的读操作与静态RAM完全类似。当  CE=0,OE=0,WE=l时,被选中的

   地址单元的内容读出到外部总线上;当CE或oE处于高电平时,输出线处于高阻态。

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