闪存ATz9LVO40A芯片介绍
发布时间:2016/7/7 22:01:27 访问次数:592
Atmel公司生产的NOR闪存AT29LV040A可与各种单片机连接。 AFB02512HA-A
OE――输出允许(读)信号线;
WE――写允许信号线;
I/o0~I/07――三态双向数据线。
3.AT29Ⅳ040A的读操作
1.AT29LV040A自勺主要I性台邕
●快速读取时间:150ns。
●单一电压下在线编程(编程前自动擦除)电压:3.3V±0,3V。
●存储容量:4Mbit(512KB×8)。
●以256字节为―页的页写入操作,片内带256字节的地址数据锁存。
●单页写入时间⒛ms,芯片擦除时间⒛ms。
●低功耗:读/写电流15mA,维持电流钔nA。
●CMOS工艺,10000次擦除写入寿命,数据可保存10年。
●输入/输出与TTL、CMOs电平兼容。
●温度范围:商用为0~70℃,工业用为叫0~85℃。
2.AT29LV040A的引脚图和引脚介绍
图2.13是AT99LV040A的引脚图,各引脚功能如下:
A0~A18――地址线;
CE――片选线;
AT29LV040A的读操作与静态RAM完全类似。当 CE=0,OE=0,WE=l时,被选中的
地址单元的内容读出到外部总线上;当CE或oE处于高电平时,输出线处于高阻态。
Atmel公司生产的NOR闪存AT29LV040A可与各种单片机连接。 AFB02512HA-A
OE――输出允许(读)信号线;
WE――写允许信号线;
I/o0~I/07――三态双向数据线。
3.AT29Ⅳ040A的读操作
1.AT29LV040A自勺主要I性台邕
●快速读取时间:150ns。
●单一电压下在线编程(编程前自动擦除)电压:3.3V±0,3V。
●存储容量:4Mbit(512KB×8)。
●以256字节为―页的页写入操作,片内带256字节的地址数据锁存。
●单页写入时间⒛ms,芯片擦除时间⒛ms。
●低功耗:读/写电流15mA,维持电流钔nA。
●CMOS工艺,10000次擦除写入寿命,数据可保存10年。
●输入/输出与TTL、CMOs电平兼容。
●温度范围:商用为0~70℃,工业用为叫0~85℃。
2.AT29LV040A的引脚图和引脚介绍
图2.13是AT99LV040A的引脚图,各引脚功能如下:
A0~A18――地址线;
CE――片选线;
AT29LV040A的读操作与静态RAM完全类似。当 CE=0,OE=0,WE=l时,被选中的
地址单元的内容读出到外部总线上;当CE或oE处于高电平时,输出线处于高阻态。
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