(1)形成固溶体

   铝在硅中几乎不溶解， AD8232ACPZ而硅在铝中有一定溶解度，在共晶点577℃时达到原子比最大值1. 59%。铝与硅反应是铝先与天然的Si02层反应，穿透S102后让铝、硅接触，随后硅原子向铝中扩散并溶解，逐步形成渗透坑。

   (2)硅在铝中的电迁移

   固体溶解在铝膜中的硅原子，由于分布不均匀，存在浓度梯度，逐步向外扩散。如有电流通过，电子的动能也可传递给硅原子，使之沿电子流方向移动，即产生电迁移。铝一硅界面不仅有质量传递还有动量传递，可引起PN结短路（如NPN晶体管的基区接触窗口）。

   (3)铝在硅中的电热迁移

   在高温、高的温度梯度和高电流密度区，铝一硅界面可发生铝的电热迁移。这种迁移通常沿PN结在Si-S102界面处的硅表面进行，其温度梯度最大、热阻最小、路径最短处呈丝状渗入，形成通道；也可纵向进行，硅不断向铝中扩散，远离界面向铝表面迁移，同肘在硅中留下大量空位，加剧Al-Si接触孔处铝在硅中的电热迁移，使铝进入硅后的渗透坑变深变粗，形成合金钉，严重时可穿越PN结使之短路。顺便指出：对于金，由于其与硅的共晶点温度仅为377℃，当温度大于325℃时金的电热迁移比铝更快，器件更易失效。所以，一般情况下，不能使金膜与硅直接接触，中间必须加阻挡层。

   必须指出，铝一硅界面因局部电流集中出现热斑而发生的上述三个物理过程，几乎同时发生，而且相互作用，互有影响，加速器件失效。硅向铝中溶解，硅中留下大量空位，加剧了铝在硅中的电热迁移，反过来铝中空位浓度增加，又加剧了硅在铝中的扩散和电迁移。