电离效应倍增电子示意图
发布时间:2016/1/30 22:52:26 访问次数:691
自扫描光电二极管阵列( SSPD)又称为MOS型图像探测器,它的自扫描电路由MOS移位寄存器构成。 R5F21162SP根据像元的排列形状不同,它又分为线阵列和面阵列两种。线阵列如不另加扫描机构,则只能对移位的光强分布进行光电转换。但由于它的成本低,且许多被测对象本身在运动中,自然形成另一维扫描,故在机器视觉检测方面用量很大。面阵列可以直接对二雏图像进行光电转换。
线阵的结构
图7.34是一种再充电采样的SSPD线阵电路框图,它主要由三部分组成。
图7.34 SSPD线阵电路框图
①Ⅳ个形状和大小完全相同的光电二极管,每个二极管有相同存储电容Cd,用半导体集成电路技术在硅片上把它们等间距地排成一条直线,称为线阵列。所有二极管的负极连在一起,组成公共端COM。图中Ⅳ为阵列的位数(像元数)。
②Ⅳ位多路开关,由CMOS场效应晶体管(FET) (VT1~VTN)组成,每个FET的源极分别与相应的二极管正极相连,而所有的漏极连在一起,组成视频输出线V。
③Ⅳ位MOS动态移位寄存器,做扫描电路用。移位寄存器每一位的输出el~eN与对应的MOS开关的栅极相连。给移位寄存器加上两相互补的时钟脉冲嘲和晓,用一个周期性的起始脉冲S引导每次扫描的开始,移位寄存器就产生依次延迟一拍的采样脉冲,使多路开关VTI~VTN按顺序闭合、断开,从而把1~Ⅳ位二极管.七的光电信号从视频线上串行输出,这就是所谓的“自扫描”功能。
自扫描光电二极管阵列( SSPD)又称为MOS型图像探测器,它的自扫描电路由MOS移位寄存器构成。 R5F21162SP根据像元的排列形状不同,它又分为线阵列和面阵列两种。线阵列如不另加扫描机构,则只能对移位的光强分布进行光电转换。但由于它的成本低,且许多被测对象本身在运动中,自然形成另一维扫描,故在机器视觉检测方面用量很大。面阵列可以直接对二雏图像进行光电转换。
线阵的结构
图7.34是一种再充电采样的SSPD线阵电路框图,它主要由三部分组成。
图7.34 SSPD线阵电路框图
①Ⅳ个形状和大小完全相同的光电二极管,每个二极管有相同存储电容Cd,用半导体集成电路技术在硅片上把它们等间距地排成一条直线,称为线阵列。所有二极管的负极连在一起,组成公共端COM。图中Ⅳ为阵列的位数(像元数)。
②Ⅳ位多路开关,由CMOS场效应晶体管(FET) (VT1~VTN)组成,每个FET的源极分别与相应的二极管正极相连,而所有的漏极连在一起,组成视频输出线V。
③Ⅳ位MOS动态移位寄存器,做扫描电路用。移位寄存器每一位的输出el~eN与对应的MOS开关的栅极相连。给移位寄存器加上两相互补的时钟脉冲嘲和晓,用一个周期性的起始脉冲S引导每次扫描的开始,移位寄存器就产生依次延迟一拍的采样脉冲,使多路开关VTI~VTN按顺序闭合、断开,从而把1~Ⅳ位二极管.七的光电信号从视频线上串行输出,这就是所谓的“自扫描”功能。
上一篇:电子倍增CCD成像器件
上一篇:移位寄存器电路