当光照射到二极管上时，产生R5F21244SDFP光电流屯，使上述放电过程加速。在积分时间一定的情况，Cd上放掉的电荷Aq随着光强Ⅳ的增大而增大，如图7.36 (d)中的凰、H2等曲线所示。当光强增大到某一光强Hs时，放掉的电荷Aqs=/LTS=Q=Cd矿，即二极管电容

Cd上原来充满的电荷Q被全部放掉。此后，即使光强比Hs再增大，放掉的电荷Aq也不可能再增加。称Qs= Cdy为饱和电荷，而Hs为饱和光强，称Es= Hs Ts为饱和曝光量。

   显然，如果tl～t2期间光强为H(t)，光电流为/L(厂)，都是时间f的函数，则tl～t2期间光电流放掉的电荷Aq，/为平均光电流。可见，这里有个积分效应或积累效应。

   第二个采样脉冲到来时（t2时刻），MOS开关VTf又导通，偏压V通过负载R向二极管电容Cd再充电，使之恢复到原来的偏压矿。显然，补充的电荷等于积分时间内Cd上消失的电荷Aq，再充电电流而的波形如图7.36 (c)所示，其峰值随光强H的增大而增大。厶在负载电阻RL上产生的电匿脉冲就是SSPD器件的视频输出信号。图7.36 (d)是实现电荷存储工作方式的单元结构图，这里把MOS开关的源极和光电二极管的P区合为一体了。