半导体材料广泛用做光电子发射体。由于半导体的能带结构随掺杂的数量不同而发生变化，HFBR-1532ETZ随引起费米能级的位置发生变化，因此在半导体中逸出功不再是一个常数。而电子亲和势EA是材料常数，它定义为导带底的能级Ec与真空能级既卒之差，即E=Efiv - Ec。EA与杂质无关，当EA为正值或E真卒岁艮时，半导体材料具有正的电子亲和势。这时半导体材料与金属光电子发射体一样，为了产生光电子发射，要求一个光子能量足以将一个电子激发到高于表面势垒的能级。由于半导体光电子发射体比金属光电子发射体需要的光激发能量小，因此，半导体光电子发射体的光谱响应可扩展到近红外波段。

   当E为负值或Er4tt<Ec时，半导体材料具有负的电子亲和势。在这种半导体内，如果激发到导带的电子在到达激活表面前未被复合掉，那么它就可离开光电子发射体。图6.1所示为金属光电子发射体、正电子亲和势半导体光电子发射体及负电子亲和势半导体光电子发射体的光电子发射过程。对于具有负电子亲和势的半导体光电子发肘体，入射光子的能量只需大于或等于半导体的能隙就能产生光电子发射，因此其光谱响应扩展到近红外波段，但其

量子效率随波长的增加而下降。