光电子发射服从如下基本规律
发布时间:2016/1/26 21:42:52 访问次数:1046
研究发现,光电子发射服从如下基本规律。
①当入射辐射的光谱分布不变时, HFBR-1528ETZ发射的饱和光电流,与入射的光通量(或光强)成正比,S是比例系数,它反映了光电子发射体对入射光的灵敏度,单位是A/W(西为光强)或者A/lm(西为光通量)。
②发射酌光电子的最大动能随入射光子光频率的增加而线性地增加,而与入射光的强度无关。这就是著名的爱因斯坦定律,m。为电子质量;Vmax为出射光电子的最大速度;y为入射光率;%为光电子发射体的逸出功,逸出功定义为光电子发射体内费米能级到真空能级的能量差。
对于金属或合金作为光电子发射体的情况,费米能级E及相应的逸出功%2 E期一西是一个材料常数,产生光电子发射所必需的入射光子的最小能量等于金属材料的逸出功,即要求h≥%或h c/,a.≥%。由此得到金属光电子发射体的长波极限.
由于金属光电子发射体的逸出功在几电子伏量级,因此,金属光电子发射体只能用于制作探测可见光和紫外光的光电子发射探测器。
研究发现,光电子发射服从如下基本规律。
①当入射辐射的光谱分布不变时, HFBR-1528ETZ发射的饱和光电流,与入射的光通量(或光强)成正比,S是比例系数,它反映了光电子发射体对入射光的灵敏度,单位是A/W(西为光强)或者A/lm(西为光通量)。
②发射酌光电子的最大动能随入射光子光频率的增加而线性地增加,而与入射光的强度无关。这就是著名的爱因斯坦定律,m。为电子质量;Vmax为出射光电子的最大速度;y为入射光率;%为光电子发射体的逸出功,逸出功定义为光电子发射体内费米能级到真空能级的能量差。
对于金属或合金作为光电子发射体的情况,费米能级E及相应的逸出功%2 E期一西是一个材料常数,产生光电子发射所必需的入射光子的最小能量等于金属材料的逸出功,即要求h≥%或h c/,a.≥%。由此得到金属光电子发射体的长波极限.
由于金属光电子发射体的逸出功在几电子伏量级,因此,金属光电子发射体只能用于制作探测可见光和紫外光的光电子发射探测器。
上一篇:半导体材料广泛用做光电子发射体