光电管的伏安特性表示为当入射光的照度（或光通量）一定时，光电管输出的光HD74HC00RPEL电流与偏压的关系。图5.22 (a)和(b)分别表示硅光电二极管和硅光电三极管的伏安特性曲线。由图可见，硅光电三极管的伏安特性曲线与硅光电二极管的特性曲线稍有不同。

   ①在相同照度下，硅光电三极管的光电流比硅光电二极管大得多，一般硅光电三极管的光电流在毫安量级，程光电二极管的光电流在微安量级；

   ②在零偏置时硅光电二极管仍然有光电流输出，而硅光电三极管没有光电流输出，这是因为光电二极管具有光生伏特效应，而硅光电三极管集电极虽然也能产生光生伏特效应，但因集电极无偏置电压，没有电流放大作用，故微小的电流在毫安级的坐标中表示不出来；

   ③当工作电压较低时输出的光电流为非线性，即光电流与偏压有关，但硅光电三极管的非线性较严重，这是因为硅光电三极管的∥与工作电压有关，为了得到较好的线性，要求工作电压尽可能高些；

   ④在一定的偏压下，硅光电三极管的伏安特性曲线在低照度时较均匀，在高照度时曲线越来越密，虽然光电二极管也有这种现象，但硅光电三极管严重得多，这是因为硅光电三极管的∥是非线性的。