硅光电二极管和硅光电三极管的光电流和暗电流均随温度而变化，但因有电流放大作用， HD74HC02FP所以硅光电三极管的光电流受温度影响比硅光电二极管大得多，如图5.23所示。暗电流的增强使输出信噪比变差，不利于弱光信号的探测，在用硅光电二极管和三极管检测弱光信号时，要减小温度的影响，常采取恒温或补偿措施。

   图5.23光电管的温度特性

   频率响应特性

   硅光电二极管的频率特性主要取决于光生载流子的渡越时间、负载电阻RL和结电容Cj的乘积。兆生载流子的渡越时间包括光生载流子向结区扩散的时间和在结（耗尽层或阻挡层）电场中载流子的漂移的时间。对可见光来说，由渡越时间决定的频率上限很高，可不考虑，这时，决定硅光电二极管的频率响应上限因素是结电容Cj和负载电阻RL。

   硅光电二极管的频率响应可以近似地用图5.24所示的交流等效电路来计算，图中，RD为反向偏置时硅光电二极管的结电阻；Cj为反向偏置时的结电容；RL为负载电阻；厶为光生电流（电流源）；Rs为硅光电流二极管的串联电阻（其值很小，可略去不计）。进一步简化的等效电路如图5.24 (b)所示。