光电探测器还有其他一些特性参数，在使用时必须注意到，如光敏面的面积、探测K4D26323RA-BC2B器电阻、电容、工作温度、工作时需外加的电压或电流（称为偏置）及光照功率等，特别是极限工作条件，正常使用时都不允许超过这些指标，否则会影响探测器的正常工作，甚至使探测器损坏。

   光电导效应

   当半导体材料受光照射时，由于对光子的吸收引起载流子浓度增大，因而导致材料电导率增大，这种现象称为光电导效应，是一种内光电效应。材料对光的吸收有本征型和非本征型，所以光电导效应也有本征型和非本征型两种。当光子能量大于材料禁带宽度时，把价带中电子激发到导带，在价带中留下自由空穴，从而引起材料电导率增加，即本征光电效应。若光子激发杂质半导体，使电子从施主能级跃迁到导带，或受主能级的空穴跃迁到价

带，产生光生自由电子或自由空穴，从而增加材料电导率，即本征光电导效应。图4.3所示为本征和非本征光电导过程。