利用某些物质的电光效应可以制成电光器件，具有电光效应的光学介质受到外电场作用时，H7N1004DS它的折射率将随着外电场变化。因此，光在晶体中传播的性质可用电场对光学介质折射率的影响来描述。

   电光效应有两种：一种是外电场作用在压电晶体上时，使晶体产生非对称性，从而使通过该晶体的光束产生双折射，双折射率的差与外电场强度的一次方成正比，称为泡克耳斯( Pochels)效应，也称一次电光效应；另一种是某些各向同性的介质，在强场的作用下变成各向异性，光束通过这些介质会产生双折射现象，双折射率的差与外电场强度的平方成正比，称为克尔( Kerr)效应。

   利用克尔效应制成的调制器称为克尔盒，如图3.11 (a)所示；利用泡克耳斯效应制成的调制器称为泡克耳斯盒，其中的光学介质为非中心对称的压电晶体。泡克耳斯盒又可分为纵向和横向调制器两种，它们在光路中的放置如图3.11 (b)和(c)所示。