半导体晶圆是从大块半导体材料切割而来的。这种半导体材料，或称为硅锭( ingot)，MC9S12DG128MPV是从大块的具有多晶结构和未掺杂本征材料生长得来的。把多晶块转变成一个大单晶，给予正确的定向和适量的N型或P型掺杂，叫做晶体生长( crystal growing)。

   使用三种不同的方法来生长单晶：直拉法( Czochralski，CZ)、液体掩盖直拉法和区熔法。

   直拉法(CZ)

   大部分的单晶是通过直拉法生长的（见图3.9）。设备有一个石英（氧化硅）坩埚，由带有射频( RF)波的线圈环绕在其周围来加热，或由电流加热器来加热。坩埚装载半导体材料多晶块和少量掺杂物。选择掺杂材料来产生N型或P型材料。首先，在1415℃把多晶和掺杂物加热到液体状态（见图3. 10）。接下来，籽晶安置到刚接触到液面（称为熔融物）（见图3.9）。籽晶是具有和所需晶体相同晶向的小晶体，籽晶可由化学气相技术制造。在实际应用中，它们是一片片以前生长的单晶并重复使用。