元件密度的增加带来了连线问题、，IRFPG50PBF在住宅区的比喻中，用来增加密度的策略之一是减小街道的宽度，但是到一定的程度时街道对于汽车的通·行来说就太窄九同样的事情也会发生在集成电路设汁中，元件密度的增加和紧密封装减小厂连线所需的空间，解决方案是在元件形成的表面上使用多层绝缘层（见图1. 13）和导电层相互叠加的多层连线（见第13章），

   平坦化是在基片的有源晶体管和其他组件中形成的（通常是硅）．j在201 1年，英特尔公r列宣布r具有源晶体管的栅极堆叠在晶圆上的一个新的j维(3D)器件（见图1.14）8，，该器件被称为i栅晶体管、，通过增加栅极的表面积，该器件的性能得以增强（见第16章）.