二极管的伏安特性示意图如图6-2所示。

   如图6-2所示是二极管的伏安特性，即二极管两端的电压和流过二极管电流的关系曲线。由图可见，L4973D5.1-013TR它有正向特性和反向特性两部分。

   (1)正向特性  当二极管承受的正向电压很低时，外电场不足以克服内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流IF很小，几乎为零。这一段所对应的电压称为死区电压或阈值电压。通常，硅二极管的死区电压约为0. 5V，锗二极管的死区电压约0. 2V。当正向电压大于死区电压后，PN结的内电场被大大削弱，正向电流迅速增大，而正向电阻变得很小。二极管充分导通后，其特性曲线很陡，二极管两端电压几乎恒定，该电压称为二极管的正向导通电压UF。硅二极管的UF约为0.7V，锗二极管的UF约为0.3V。

   (2)反向特性  二极管两端加反向电压时，外电场方向和内电场方向一致，只有少数载流子的漂移，形成很小的反向漏电流。由于少数载流子数曰很少，在相当大的反向电压范围内，反向电流几乎恒定，故称为反向饱和电流IR。正常情况下，硅二极管的IR在几微安以下，锗二极管的IR较大，一般在几十至几百微安。