晶体管工作时， LC75725EHS-E因消耗功率要转换成热量而使结温（有源区）上升，工作结温正与器件寿命￡有如下关系

    因此确定工作结温是使用器件时可靠性设计中的一个重要参数。一般对金属封装的硅器件，最大允许结温为150～175℃，塑料封装时则为125～150℃。

   热量的散失有辐射、对流和热传导三种方式。半导体芯片上有源区产生的热量通过热传导向四周传热，使芯片各处温度一定呈不均匀分布，即产生度场，在一定边界条件下解热传导方程可求得芯片的温度场分布，这对可靠性热设计是有帮助的，现在已有这种软件可供使用。

   在一般情况下，经过截面A传出的热量Q与该方向的温度梯度成正比式中，k(T)为与温度有关的材料热导率，假定它与方向无关，各向同性，是一标量。VT为温度梯度，负号表示热量从高温向低温传递。AT为温差，Rr表示热阻，这是任意两点间的温差与热流之比，是热传递路径上的阻力，热量与功耗成正比。表示晶体管集电极电结与管壳之间的热阻。Tj和Tc为结温和壳温，Pc为晶体

管耗散功率，因此热阻可定义为晶体管单位功耗引起的结温升，单位是(℃/W)。

   事实上，晶体管在开关及脉冲电压驱动下，有源区温度要经一定弛豫时间（常数r）才能逐步达到稳态，在此之前，在热阻的作用下，温度是随时间呈指数变化的函数：在集成电路中，热源很多，其在各处的密集程度各不相同，且芯片尺寸不断增大，热阻及热分布的情况比分立器件复杂得多。