另一种是12坏。陛击穿AD8397ARZ铝彻底侵入氧化层，使氧化层的绝缘作用完全丧失。栅氧较薄时，用自对准工艺，栅电极采用多晶 硅材料制作。

   栅氧的击穿与硅中杂质、氧化工艺、栅极材料、施加电场大小及极性等因素有关，其击穿百分比与击穿时施加场强的关系如图4.12所示。击穿的情况可分为A、B、C三个区或模式。A区一般场强在MV／cm以下，它是由于栅氧中孔    0    2    4    6    8    10    12EBD/mV/cni    。引起的。B区的击穿场强EBD为2MVlcm<EBD<8MV/crri，一般认为是由于Na+沾    图4.12栅氧的击穿失效百分数与击穿场强的关系污等缺陷引起的。C区的EBD>8MV/cni，为本征击穿。

   过去认为栅氧的TDDB主要足Na+等沾污引起的，经过不断努力，采用各种有效防止Na+沾污的措施，现已做到基本上无N ai-沾污（MOS电容经温度一偏压的B-T处理后，可动电荷在1×1010个lcn12以下，处理前后C-V曲线已无移动），以及采用二步（三步）HC1氧化法，使Si-Si0：界面处，从微观上平整无凹凸接触，以减少界面处场强。这种栅氧的击穿场强基本上在lOMV／cm以上，但仍发生TDDB，所以栅氧的TDDB是VI)SI中的一个重要的可靠性问题。