栅介质按照击穿时的情况，通常可分为以下两种。

   1．瞬时击穿

   电压一加上去， AD8367ARUZ电场强度达到或超过该介质材料所能承受的临界场强，介质中流过的电流很大而立即击穿，这叫本征击穿。实际栅氧化层中，某些局部位置厚度较薄，电场强；也可存在空洞（针孔或盲孔）、裂纹、杂质、纤维丝等疵点，它引起气体放电、电热分解等情况而产生介质漏电甚至击穿，由于这些缺陷引起的介质击穿叫非本征击穿。

   2．TDDB

   与时间有关的介质击穿(Time Dependent Dielectric Breakdown，TDDB)是指施加的电场低于栅氧的本征击穿场强，并未引起本征击穿，但经历～定时间后仍发生了击穿。这是由于在施加电应力的过程中，氧化层内产生并积聚了缺陷的缘故。

   栅氧的瞬时击穿可通过筛选、老化等方法剔除，所以TDDB是本节讨论的中心。

   在氧化层较厚时，栅极材料采用铝。这时栅氧击穿有两种形式。由于铝的熔点低，且层很薄，栅氧某处击穿时，生成的热量将击穿处铝层蒸发掉，使有缺陷的击穿处与其他完好的Si02层隔离开来，这叫自愈式击穿。