理想的CCD摄像器件希望有高灵敏度和宽动态范围。灵敏度主要由器件响应度和各种噪声因素所决定。EP1K100QI208-2N由于CCD机构较复杂，噪声源也较多，主要有光子噪声、暗电流噪声、快速表面捕获噪声、肥零噪声和输出电路噪声等。

   这里所说动态范围是指对于有较大范圈变化的光照时，仍能线性响应。它的上限是由电荷最大存储容量决定，下限仍是由噪声所限制。

   Si材料光谱响应曲线如图4- 44所示。红外CCD目前性能还较差。

   图4 - 44    Si光谱曲线

   性能良好的CCD成像器件能够在(1.5~2．O)xl0-21x下成像，但在微光或夜间条件下成像质量很差或不能成像。因此出现了微电荷耦合成像器件，它采用光子型或电子型的增强措施，即增强人射到CCD上的光，或以高速电子轰击CCD，由此出现像增强型CCD及电子轰击型CCD，还有在输出积累上采用延时积累输出系统，以提高微光下成像的能力，一般在照度为1xl0-31x条作下可得到清晰的图像。