若光照射到某些半导体材料上时，G01323H透射到材料内部的光子能量足够大，某些电子吸收光子的能星，从原来的束缚态变成导电的自由态，这时在外电场的作用下，流过半导体的电流会增大，即半导体的电导增大，这种现象叫光电导效应。它是一种内光电效应。光电导效应可分为本征型和杂质型两类。

   光生伏特效应

   如图4 -2(a)所示，在无光照时，P-N结内存在的电子和空穴具有从高浓度到低浓度扩散的作用，形成内部自建电场E，当光照射在P-N结及其附近时，在能量足够大的光子作用下，在结区及其附近就产生少数载流子（电子和空穴对），载流子在电场E的作用，电子漂移到N区，空穴漂移到P区。结果使N区带负电荷，P区带正电荷，产生附加电动势，此电动势称为光生电动势，此现象称为光生伏特效应。

    半导体置于磁场中，光垂直照射其表面，当光子能量足够大时，在表面层内激发出光生载流子，在表面层和体内形成载流子浓度梯度，于是光生载流子就向体内扩散，在扩散的过程中，由于磁场产生的洛伦兹力的作用，电子空穴对（载流子）偏向端，产生电荷积累，形成电位差，这就是光磁电效应，如图4 -2(b)所示。

   由于各种光电检测器的工作原理及结构各不相同，因此需用多个参数来说明其特性。下面讨论这些器件共有的常用参数，以便于更好地选择和使用。